光刻胶EN3120A1 E3502
更新时间:2024-05-02 11:08:00
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KMP E3200系列光刻胶是专为Lift Off工艺开发的紫外负性光刻胶,相比E3100,其膜厚更厚,覆盖的范围为6.0-12.0um。其具有可调整的倒梯角度、分辨率高、工艺窗口大及易去胶等优点,广泛用于LED芯片制造过程中的Lift Off工艺,特别是LED高功率器件以及倒装工艺芯片制造过程。
EN3120A1 | R:2μm@4μm,Thickness:4.5-9.5μm, High heat resistance | IC/LED |
E3130A | Lift off negative resist,High resolution | IC/LED |
E3260A2/S | R:5μm@8μm,<100mj/cm2,Thickness:6-12μm | IC/LED |
E3502 | R:0.6μm@2.4μm,Thickness:2-4μm,Easy strip | IC/LED |
E3510 | R:6μm@14μm,Thickness:5-20μm,Easy strip | IC/LED |
E3175/B | R:2.0μm@3.8μm,Small undercut,Thickness:2-4μm | IC/LED |
KMP DK1081是低活化能体系的高分辨深紫外正性光刻胶,适用于8寸逻辑电路制程180nm节点的关键金属层,同时适用于8寸逻辑130nm及12寸64层存储的离子注入层,在光硅基底及抗反射层基底上都具有良好的工艺窗口和解析度。
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